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VB30100S-E3SLASH4W	文件：156.46 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：156.46 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB30100S-E3SLASH4W	文件：149.97 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：149.97 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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VB30100SG-E3	文件：152.57 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：152.57 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB30100SG-M3	文件：90.13 Kbytes Page：4 Pages	High efficiency operation 文件：90.13 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB30100SG-M3_15	文件：80.16 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：80.16 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB30100S-M3	文件：88.69 Kbytes Page：4 Pages	Low forward voltage drop, low power losses 文件：88.69 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB30100S-M3_15	文件：78.5 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：78.5 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB30100SG-E3	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;	Vishay 威世	Vishay

详细参数

型号：
VB30100S
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A

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更多VB30100S供应商更新时间2026-1-17 14:08:00

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