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VB30100S-E3SLASH8W	文件：168.56 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath te 文件：168.56 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB30100S-E3SLASH8W	文件：149.97 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：149.97 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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VB40120C-E3Z/I	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY/威世 NA	VISHAY/威世上传：深圳瞄钧科技有限公司	VISHAY/威世
VBPW34FASR	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY/威世 2-SMD	VISHAY/威世上传：深圳市华芯伟电子科技有限公司	VISHAY/威世

更多VB30100S-E3SLASH8W供应商更新时间2025-10-7 11:01:00