Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Trench MOS Schottky technology

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Trench MOS Schottky technology

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Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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These rectifiers offer high voltage ranges in minimum-sized

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

Diode Schottky 100V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

NJS

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

威世

Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

威世

包装：散装 类别：测试与计量 设备 - 专用 描述：VIBRATION DATALOGGER

FLIR Extech