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VB30M120C-M3/I	文件：105.26 Kbytes Page：4 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VB30M120C-M3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：30A 120V TO-263 TRENCH SKY RECT	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VB30M120C-M3SLASHI	文件：105.26 Kbytes Page：4 Pages	DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.52VatIF=5A •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF30M120C-M3	文件：133.31 Kbytes Page：4 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF30M120C-M3	文件：92.17 Kbytes Page：4 Pages	TrenchMOSSchottkytechnology	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VI30M120C-M3	文件：143.23 Kbytes Page：5 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

产品属性

产品编号：
VB30M120C-M3/I
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
系列：
TMBS®
包装：
卷带（TR）
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
15A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-40°C ~ 150°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
TO-263AB（D²PAK）
描述：
30A 120V TO-263 TRENCH SKY RECT

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