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VB30M120C-M3SLASHI中文资料威世科技数据手册PDF规格书

VB30M120C-M3SLASHI
厂商型号

VB30M120C-M3SLASHI

功能描述

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A

文件大小

105.26 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

VISHAY威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 22:59:00

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VB30M120C-M3SLASHI规格书详情

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 245 °C

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