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VB30M120C-M3SLASHI	文件：105.26 Kbytes Page：4 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VB30M120C-M3	文件：93.41 Kbytes Page：4 Pages	TrenchMOSSchottkytechnology	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VB30M120C-M3/I	文件：105.26 Kbytes Page：4 Pages	DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF30M120C-M3	文件：133.31 Kbytes Page：4 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF30M120C-M3	文件：92.17 Kbytes Page：4 Pages	TrenchMOSSchottkytechnology	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VI30M120C-M3	文件：143.23 Kbytes Page：5 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

更多VB30M120C-M3SLASHI供应商更新时间2025-7-23 9:31:00