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VB20150C-M3	文件：102.92 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICAT 文件：102.92 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB20150C-M3_V01	文件：102.92 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICAT 文件：102.92 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB20150C-E3/4W	文件：163.4 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.4 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB20150C-E3/8W	文件：163.4 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.4 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB20150C-E3SLASH4W	文件：163.4 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.4 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB20150C-E3SLASH8W	文件：163.4 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.4 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB20150C-M3	文件：89.16 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Schottky technology 文件：89.16 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB20150C-M3_15	文件：79.25 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.25 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB20150C-E3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Low VF = 0.59 V at IF = 5 A Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;	Vishay 威世科技	Vishay
VB20150C-M3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5.0 A 分立 Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;	Vishay 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
VB20150C
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

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