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VB20150C-E3/4W	文件：163.4 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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VB20150C-M3	文件：89.16 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Schottky technology	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VB20150C-M3_15	文件：79.25 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VB20150C-E3/8W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO263	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VB20150C-M3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 20A 150V TO-263AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VB20150C-M3/8W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 20A 150V TO-263AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

详细参数

型号：
VB20150C
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

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