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VB20150C-E3SLASH8W	文件：168.29 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A UltraLowVF=0.59VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordanc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

UltraLowVF=0.59VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordanc

VishayVishay Siliconix

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Vishay

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市纳艾斯科技有限公司	VB20150C-M3	VISHAY	24+	TO-263A	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
深圳市仟禧电子有限公司	VB20150C-M3	VISHAY/威世	22+	TO-263	20000	保证原装正品,假一陪十	询价
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易创佳业科技（深圳）有限公司	VB20150CM3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Di	23+	TO263AB	9000	原装正品，支持实单	询价
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更多VB20150C-E3SLASH8W供应商更新时间2025-5-5 22:30:00

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