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VB20150C	文件：168.29 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A UltraLowVF=0.59VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordanc	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB20150C	文件：161.59 Kbytes Page：6 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB20150C-E3	文件：161.22 Kbytes Page：6 Pages	Trench MOS Schottky technology UltraLowVF=0.59VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB20150C-E3	文件：218.83 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABa	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB20150C-E3/4W	文件：168.29 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A UltraLowVF=0.59VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordanc	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB20150C-E3/8W	文件：168.29 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A UltraLowVF=0.59VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordanc	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB20150C-M3	文件：102.92 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICAT	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB20150C-M3_V01	文件：102.92 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICAT	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB20150C-E3/4W	文件：163.4 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB20150C-E3/8W	文件：163.4 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB20150C-M3	文件：89.16 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Schottky technology	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB20150C-M3_15	文件：79.25 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB20150C-E3/8W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO263	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VB20150C-M3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 20A 150V TO-263AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VB20150C-M3/8W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 20A 150V TO-263AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
20150FCT	文件：528.26 Kbytes Page：2 Pages	20ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS PRODUCTFEATURES 1.FLAMMABILITYCLASSIFICATION94V-0 2.EXTREMELYLOWVF 3.LOWSTOREDCHARGE 4.MAJORITYCARRIERCONDUCTION 5.LOWPOWERLOSS/HIGHEFFICIENCY 6.CASE:TRANSFERMOLDEDTO-220ABFORMBR20xxxCTITO-220ABFORMBR20xxxFCT 7.DIMENSIONSININCHESAND(MILLIMETERS) 8.LEADS:SOL	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
AL20150	文件：240.25 Kbytes Page：4 Pages	INDUSTRIALMICROWAVEGENERATORS2450MHZ	MKS MKS Instruments.	MKS
B20150G	文件：778.85 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmpereSurfaceMountDualCommonCathodeSchottkyBarrierRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
CBD20150VCT	文件：62.01 Kbytes Page：3 Pages	LOWVFSCHOTTKYRECTIFIER	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
CBD20150VFCT	文件：72.78 Kbytes Page：4 Pages	LOWVFSCHOTTKYRECTIFIER	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT

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详细参数

型号：
VB20150C
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多VB20150C供应商更新时间2024-5-28 14:02:00

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