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V20W	文件：3.1748 Mbytes Page：24 Pages	PIEZOELECTRIC ENERGY HARVESTERS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
V20W60C-M3_V01	文件：91.41 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.3mm •TrenchMOSSchottkytechnology •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -A	VishayVishay Siliconix 威世科技
V20WL45-M3	文件：89.84 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.co	VishayVishay Siliconix 威世科技
V20WL45-M3_V01	文件：89.84 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.co	VishayVishay Siliconix 威世科技
V20WM100C-M3	文件：90.69 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.co	VishayVishay Siliconix 威世科技
V20WM100C-M3_V01	文件：90.69 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.co	VishayVishay Siliconix 威世科技
V20W60C-M3	文件：122.54 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技
V20W60C-M3_15	文件：123.62 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技
V20W60C-M3_15	文件：115.78 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技
V20W60C-M3I	文件：122.54 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技
V20WL45-M3	文件：120.65 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技
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V20WM100C-M3_15	文件：117.45 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技
V20WM100C-M3I	文件：121.85 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技
V20W60C-M3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 20A 60V DPAK	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V20WL45-M3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带盒（TB）封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 20A 45V DPAK	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V20WM100C-M3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 20A 100V DPAK	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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更多V20W供应商更新时间2024-4-27 15:00:00

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