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V20W60C-M3_V01

High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.3mm •TrenchMOSSchottkytechnology •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -A

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更多V20W60C-M3_V01供应商 更新时间2025-5-8 11:08:00