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V20W60C-M3_V01

High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES • Very low profile - typical height of 1.3 mm • Trench MOS Schottky technology • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - A

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VishayVishay Siliconix

威世科技

V23084-C2001-A303

TYCO
DIP-10

Tyco

V23105A5303A201

TE
DIP8

V23105A5303A201

TE/泰科
DIP

TE/泰科

V23234-A1004-X050

TE
DIP

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更多V20W60C-M3_V01供应商 更新时间2025-10-6 13:01:00