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V20WM100C-M3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 20A 100V DPAK	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V20WM100C-M3I	文件：121.85 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：121.85 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V20WM100C-M3	文件：90.69 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.co 文件：90.69 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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更多V20WM100C-M3/I供应商更新时间2025-10-3 22:59:00