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V20WM100C-M3_V01	文件：90.69 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.co	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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V20WM100C-M3_V01

文件：90.69 Kbytes

Page：5 Pages

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.co

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更多V20WM100C-M3_V01供应商更新时间2025-5-19 8:14:00

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