Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.40 VF at IF = 5 A

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High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES • Very low profile - typical height of 1.3 mm • Trench MOS Schottky technology • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - A

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Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 60V DPAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division