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V20150SG-E3SLASH4W | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A UltraLowVF=0.57VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECand | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | |
V20150SG-E3SLASH4W | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | |
High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.57VatIF=5A UltraLowVF=0.57VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECand | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.57VatIF=5A UltraLowVF=0.57VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECand | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.57VatIF=5A UltraLowVF=0.57VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECand | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VISHAY |
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TO-220 |
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Vishay General Semiconductor - |
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DIP |
11200 |
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LITTELFUSE |
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LITTELFUSE |
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Littelfuse(美国力特) |
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ST |
21+ |
SMD8 |
23480 |
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