Dual High Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

• Very low profile - typical height of 1.7 mm • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available

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• Very low profile - typical height of 1.7 mm • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available

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Very low profile - typical height of 1.7 mm\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

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Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：20A,170V,SMPD, TRENCH SKY RECT.

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：20A,170V,SMPD, TRENCH SKY RECT.

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