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V20DM100C	文件：111.33 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Verylowprofile-typicalheightof1.7mm •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable: -	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V20DM100CHM3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTT 100V TO263AC	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V20DM100C-M3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTT 100V TO263AC	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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V20DM100C

文件：111.33 Kbytes

Page：5 Pages

Dual High-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Verylowprofile-typicalheightof1.7mm •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable: -

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

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V20DM100CHM3/I

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包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTT 100V TO263AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

V20DM100C-M3/I

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包装：卷带（TR）剪切带（CT）封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTT 100V TO263AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市恒意法电子有限公司	V20DM100CHM3/I	Vishay General Semiconductor -	21+	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	170000	专业分立半导体,原装渠道正品现货	询价
深圳市瑞智芯科技有限公司	V20DM100CHM3/I	Vishay	21+	n/a	1472	原装正品订货,请确认	询价
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更多V20DM100C供应商更新时间2024-6-23 10:50:00

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