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V20D202C_V01	文件：124.41 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnologygeneration2 •Verylowprofile-typicalheightof1.7mm •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifieda	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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V20D202C_V01

文件：124.41 Kbytes

Page：5 Pages

Dual High-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnologygeneration2 •Verylowprofile-typicalheightof1.7mm •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifieda

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

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更多V20D202C_V01供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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