V20200G资料使用说明书批发采购威世Vishay-114ic电子网

首页 >V20200G>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
V20200G	文件：160.45 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.62 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath te 文件：160.45 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20200G-E3	文件：215.23 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：215.23 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20200G-E3_V01	文件：215.23 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：215.23 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20200G-E3-4W	文件：160.45 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.62 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath te 文件：160.45 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20200G_15	文件：157.64 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：157.64 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20200G_15	文件：148.07 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：148.07 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20200G-E3	文件：156.24 Kbytes Page：6 Pages	Low forward voltage drop, low power losses 文件：156.24 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20200G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	Vishay 威世	Vishay
V20200G-E3/ VF20200G-E3/ VB20200G-E3/ VI20200G-E3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 分立 ·Trench MOS Schottky technology\n·Low forward voltage drop, low power losses\n·High efficiency operation;	Vishay 威世	Vishay
V20200G-E3/4W	文件：300 bytes Page：1 Pages	肖特基二极管与整流器 20 Amp 200 Volt Dual 110 Amp IFSM	Vishay 威世	Vishay

详细参数

型号：
V20200G
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	V20200G	VISHAY/威世	23+	TO220	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳市科雨电子有限公司	V20200G-E3/4W	VISHAY	25+	TO-220	3675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	V20200G-E3/4W	VISHAY	23+	TO220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	V20200GE3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Di	22+	TO220AB	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市威雅利发展有限公司	V20200G-E3/4W	VISHAY	0731+;10+	TO220	35	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市科翼源电子有限公司	V20200G-E3/4W	VISHAY	23+	TO220	2535	原厂原装正品	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	V20200G-E3/4W	Vishay General Semiconductor -	25+	TO-220-3	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市诺美思科技有限公司	V20200G-E3/4W	VISHAY		原厂封装	9800	原装进口公司现货假一赔百	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	V20200L		24+	N/A	75000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
亚泰电子科技有限公司	V20202C-M3/4W	VISHAY	22+	SMD	18000		询价

更多V20200G供应商更新时间2025-12-14 11:09:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号