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V20200G	文件：160.45 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier UltraLowVF=0.62VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathte	VishayVishay Siliconix 威世科技
V20200G-E3	文件：215.23 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106	VishayVishay Siliconix 威世科技
V20200G-E3_V01	文件：215.23 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106	VishayVishay Siliconix 威世科技
V20200G-E3-4W	文件：160.45 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier UltraLowVF=0.62VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathte	VishayVishay Siliconix 威世科技
V20200G_15	文件：157.64 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技
V20200G_15	文件：148.07 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技
V20200G-E3	文件：156.24 Kbytes Page：6 Pages	Low forward voltage drop, low power losses	VishayVishay Siliconix 威世科技
V20200G-E3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
AK20200CT	文件：258.32 Kbytes Page：2 Pages	FastRecoveryRectifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
B20200	文件：101.43 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODESchottkyPowerRectifier TheSWITCHMODEPowerRectifieremploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal–to–siliconpowerdiode.State–of–the–artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinverylow–voltage,high–frequencys	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
B20200G	文件：778.85 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmpereSurfaceMountDualCommonCathodeSchottkyBarrierRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司
BHP20200F	文件：50.48 Kbytes Page：3 Pages	NoninductivePlanarLowCost,20WattTO220PackageThickFilmResistor	BITECH 瑞谷拜特上海瑞谷拜特软件技术有限公司
BHP20200G	文件：50.48 Kbytes Page：3 Pages	NoninductivePlanarLowCost,20WattTO220PackageThickFilmResistor	BITECH 瑞谷拜特上海瑞谷拜特软件技术有限公司
BHP20200J	文件：50.48 Kbytes Page：3 Pages	NoninductivePlanarLowCost,20WattTO220PackageThickFilmResistor	BITECH 瑞谷拜特上海瑞谷拜特软件技术有限公司
CBD20200VCT	文件：110.89 Kbytes Page：4 Pages	UltraLowforwardvoltagedrop,lowpowerloss	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
CBD20200VDC	文件：98.22 Kbytes Page：5 Pages	UltraLowforwardvoltagedrop,lowpowerloss	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
CBD20200VFCT	文件：113.46 Kbytes Page：4 Pages	Ultralowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
CDBD20200-G	文件：106.7 Kbytes Page：4 Pages	ChipSchottkyBarrierRectifier	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司
CDBD20200-HF	文件：106.63 Kbytes Page：4 Pages	ChipSchottkyBarrierRectifier	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司
CS20200CT-A	文件：468.31 Kbytes Page：3 Pages	SuperLowBarrierHighVoltagePowerRectifier

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详细参数

型号：
V20200G
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多V20200G供应商更新时间2024-4-27 11:10:00

详细参数

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