V20200G-E3/ VF20200G-E3/ VB20200G-E3/ VI20200G-E3数据手册Vishay中文资料规格书

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厂商型号

V20200G-E3/ VF20200G-E3/ VB20200G-E3/ VI20200G-E3

功能描述

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技 威世科技半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-11 23:01:00

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V20200G-E3/ VF20200G-E3/ VB20200G-E3/ VI20200G-E3规格书详情

描述 Description

分立

特性 Features

·Trench MOS Schottky technology
·Low forward voltage drop, low power losses
·High efficiency operation

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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