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V10P10-E3	文件：111.06 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier HighCurrentDensitySurfaceMountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.453VatIF=5A FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvolatgedrop,lowpowerlosses •	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V10P10-E3/86A	文件：111.06 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier HighCurrentDensitySurfaceMountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.453VatIF=5A FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvolatgedrop,lowpowerlosses •	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V10P10-E3/87A	文件：111.06 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier HighCurrentDensitySurfaceMountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.453VatIF=5A FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvolatgedrop,lowpowerlosses •	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V10P10-E386A	文件：111.06 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier HighCurrentDensitySurfaceMountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.453VatIF=5A FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvolatgedrop,lowpowerlosses •	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V10P10-E387A	文件：111.06 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier HighCurrentDensitySurfaceMountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.453VatIF=5A FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvolatgedrop,lowpowerlosses •	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V10P10-E3/86A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-277，3-PowerDFN 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V10P10-E3/87A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-277，3-PowerDFN 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

详细参数

型号：
V10P10-E3
功能描述：
肖特基二极管与整流器 10 Amp 100 Volt Single TrenchMOS
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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