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UPA810T	文件：223.98 Kbytes Page：8 Pages	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR TheµPA810Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •LowNoise NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •HighGain \|S21e\|2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •ASmallMiniMoldPackageA	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA810T	文件：207.42 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA810T	文件：486.37 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA810TC	文件：53.62 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD DESCRIPTION TheµPA810TChasbuilt-inlow-voltagetwotransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •Lownoise:NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain:\|S21e\|2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Fla	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA810TC	文件：194.51 Kbytes Page：14 Pages	NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR (WITHBUILT-IN2´2SC5006) FLAT-LEAD6-PINTHIN-TYPEULTRASUPERMINIMOLD FEATURES •Lownoise:NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain:\|S21e\|2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Flat-lead6-pinthin-typeultrasuper	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA810TC-T1	文件：53.62 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD DESCRIPTION TheµPA810TChasbuilt-inlow-voltagetwotransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •Lownoise:NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain:\|S21e\|2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Fla	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA810TF	文件：15.4 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION TheUPA810TFcontainstwoNE856NPNhighfrequencysiliconbipolarchips.NECsnewlowprofileTFpackageisidealforallportablewirelessapplicatonswherereducingcomponentheightisaprimeconsideration.Eachtransistorchipisindependentlymountedandeasilyconfiguredfor	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA810T-T1	文件：223.98 Kbytes Page：8 Pages	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR TheµPA810Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •LowNoise NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •HighGain \|S21e\|2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •ASmallMiniMoldPackageA	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA810T_09	文件：486.37 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA810T_V1	文件：486.37 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL

详细参数

型号：
UPA810T
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	UPA810T	NEC	24+	SOT-363/SOT-323-6	93800	新进库存/原装	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	UPA810T	CEL	23+	原厂原包	19960	只做进口原装终端工厂免费送样	询价
深圳市芯诚实创科技有限公司	UPA810T	NEC	2022	SOT-363 / SOT-323-6	93800	全新原装现货热卖	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	UPA810T	NEC	22+	SOT363	25000	只有原装原装,支持BOM配单	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	UPA810T	NEC	23+	SOT363	8000	只做原装现货	询价
深圳市福安瓯科技有限公司	UPA810T-T1	NEC	25+	SOT23-6	2500	强调现货,随时查询!	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	UPA810T-A	CEL	24+	原厂原封	1000	原装正品	询价
深圳市博浩通科技有限公司	UPA810T-T1	NEC	23+	10089	2478	全新原装现货	询价
深圳市恒创达实业有限公司	UPA810T-T1	NEC	17+	SOT-363	6200	100%原装正品现货	询价

更多UPA810T供应商更新时间2025-7-17 16:00:00

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