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UPA810T-A	文件：207.42 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA810T-A	文件：486.37 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA810T-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA810TC	文件：194.51 Kbytes Page：14 Pages	NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR (WITHBUILT-IN2´2SC5006) FLAT-LEAD6-PINTHIN-TYPEULTRASUPERMINIMOLD FEATURES •Lownoise:NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain:\|S21e\|2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Flat-lead6-pinthin-typeultrasuper	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA810TC	文件：53.62 Kbytes Page：12 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITHBUILT-IN2x2SC5006FLAT-LEAD6-PINTHIN-TYPEULTRASUPERMINIMOLD DESCRIPTION TheµPA810TChasbuilt-inlow-voltagetwotransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •Lownoise:NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain:\|S21e\|2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Fla	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA810TF	文件：15.4 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR DESCRIPTION TheUPA810TFcontainstwoNE856NPNhighfrequencysiliconbipolarchips.NECsnewlowprofileTFpackageisidealforallportablewirelessapplicatonswherereducingcomponentheightisaprimeconsideration.Eachtransistorchipisindependentlymountedandeasilyconfiguredfor	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
US810DS	文件：2.02014 Mbytes Page：3 Pages	SurfaceMountUltraFastRectifiers	JUXINGGuangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd. 广东钜兴电子广东钜兴电子科技有限公司	JUXING
US810DS	文件：472.45 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountUltrafastRecoveryRectifier	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
US810VS	文件：2.02014 Mbytes Page：3 Pages	SurfaceMountUltraFastRectifiers	JUXINGGuangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd. 广东钜兴电子广东钜兴电子科技有限公司	JUXING
USF810	文件：175.98 Kbytes Page：2 Pages	SuperFastRectifiers	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG

产品属性

产品编号：
UPA810T-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
2 NPN（双）
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
4.5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.2dB @ 1GHz
增益：
9dB
功率 - 最大值：
200mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 7mA，3V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：
SOT-363
描述：
RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363

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