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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The μ PA2757GR is Dual N-channel MOS Field Effect Transistors designed for switching application. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 36.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A) RDS(on)2 = 50.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 3.0 A) • Low gate charge QG = 10 nC TYP. (VGS 文件:180.28 Kbytes 页数:8 Pages | NEC 瑞萨 | NEC | ||
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2757GR is Dual N-channel MOS Field Effect Transistors designed for switching application. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 36.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A) RDS(on)2 = 50.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 3.0 A) • Low gate charge QG = 10 nC TYP. (VGS = 10 V) 文件:371.36 Kbytes 页数:10 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | ||
SOP8 | RENESAS | |||
SOP8 | RENESAS | |||
SOT353 | RENESAS |
详细参数
- 型号:
UPA2757GR-E1
- 功能描述:
MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列:
-
- 产品目录绘图:
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装:
1
- 系列:
- FET
- 型:
2 个 N 沟道(双) FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
- 功率 -
- 最大:
1.4W
- 安装类型:
表面贴装
- 封装/外壳:
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:
PowerPAK? SO-8
- 包装:
Digi-Reel®
- 产品目录页面:
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称:
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS丨全系列供应 |
23+ |
NA |
22470 |
原装进口ICMCUSOCMOS等知名国内外品牌只做原装全 |
询价 | ||
Renesas |
21+ |
- |
22470 |
全新原装鄙视假货 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
SOP8 |
8540 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
RENESAS |
2016+ |
SOP8 |
9000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
NEC |
2009 |
SOP8 |
2500 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
SOP8 |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
NEC |
23+ |
SOP8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
8-PSOP |
25000 |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
询价 | ||
NEC |
24+ |
NA/ |
115240 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
NEC |
2023+ |
SOP8 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 |
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