| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市力拓辉电子有限公司13年
留言
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22470 |
21+ |
全新原装 鄙视假货15118075546 |
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深圳市正迈科技有限公司8年
留言
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22470 |
23+ |
原装进口ICMCUSOCMOS等知名国内外品牌只做原装全 |
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深圳市富安睿科技有限公司6年
留言
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NECSOP-8 |
6000 |
21+ |
绝对原裝现货 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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RENESAS/瑞萨8-PSOP |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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RENESASSOP8 |
35200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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RENESAS/瑞萨SOP8 |
30000 |
23 |
全新原装 假一赔十 价格优势 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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RENESAS/瑞萨8-PSOP |
45000 |
1925+ |
真实库存!原装特价!实单必成交! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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NEC-日本电气SOP-8.贴片 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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RENESAS-瑞萨SOP-8.贴片 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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RENESAS/瑞萨8-PSOP |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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RENESASSOP8 |
6000 |
2018+ |
全新原装正品现货,假一赔佰 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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RENESASSOP-8 |
63258 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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NECSOP-8 |
3550 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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上海磐岳电子有限公司6年
留言
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RENESASSOP-8 |
5800 |
2023+ |
进口原装,现货热卖 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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NECSOP8 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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RENESASSOP8 |
8650 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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NECSOP8 |
32350 |
22+ |
原装正品 假一罚十 公司现货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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RENESAS/瑞萨SMD8 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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NECSOP8 |
141740 |
10+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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RENESAS/瑞萨SOP8 |
30000 |
23+ |
全新原装,假一赔十,价格优势 |
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UPA2757图片
UPA2757GR-E1资讯
UPA2757GR
UPA2757GR主要参数：FET-阵列FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5A不同Id、Vgs时的RdsOn（最大值）：36毫欧@3A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷：(Qg)10nC@10V不同Vds
UPA2757GR-E1
UPA2757GR-E1主要参数：分立半导体产品FET-阵列FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5A不同Id、Vgs时的RdsOn（最大值）：36毫欧@3A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷：(Qg)10n
UPA2757GR-E1中文资料Alldatasheet PDF
更多UPA2757GR制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
UPA2757GR-E1-AT功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA2757GR-E2-AT功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
