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UPA2201T1M	文件：269.4 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2201T1M is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of portable equipments, such as load switch. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 18.5 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 9 A) RDS(on)2 = 27 mΩ MAX. (VGS = 2.5 V, ID = 4.5 A) • 文件：269.4 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA2201T1M-T1-AT	文件：269.4 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2201T1M is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of portable equipments, such as load switch. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 18.5 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 9 A) RDS(on)2 = 27 mΩ MAX. (VGS = 2.5 V, ID = 4.5 A) • 文件：269.4 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA2201T1M-T2-AT	文件：269.4 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2201T1M is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of portable equipments, such as load switch. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 18.5 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 9 A) RDS(on)2 = 27 mΩ MAX. (VGS = 2.5 V, ID = 4.5 A) • 文件：269.4 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RSE2201T1	文件：265.95 Kbytes Page：1 Pages	.100 RECEPTACLE STRIPS 文件：265.95 Kbytes 页数：1 Pages	ADAM-TECH 亚当科技	ADAM-TECH

详细参数

型号：
UPA2201T1M
功能描述：
MOSFET N-CH 20V VSOF-SLIM
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市跃创芯科技有限公司	UPA2201T1M-T1-AT	RENESAS/瑞萨	22+	8-VSOF	25000	只有原装绝对原装,支持BOM配单!	询价
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更多UPA2201T1M供应商更新时间2025-12-15 9:11:00

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