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UPA2708GR-E1	文件：358.25 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2708GRisN-channelMOSFieldEffect TransistordesignedforDC/DCconverterandpower managementapplicationsofnotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=5.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=9.0A) RDS(on)2=7.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=9.0A) •Low	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2708GR-E1	文件：140.02 Kbytes Page：7 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA2708GR-E1-A	文件：358.25 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2708GRisN-channelMOSFieldEffect TransistordesignedforDC/DCconverterandpower managementapplicationsofnotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=5.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=9.0A) RDS(on)2=7.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=9.0A) •Low	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2708GR-E1-A	文件：140.02 Kbytes Page：7 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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