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UPA2201T1M中文资料PDF规格书
UPA2201T1M规格书详情
DESCRIPTION
The μ PA2201T1M is N-channel MOS Field Effect Transistor designed
for power management applications of portable equipments, such as
load switch.
FEATURES
• Low on-state resistance
RDS(on)1 = 18.5 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 9 A)
RDS(on)2 = 27 mΩ MAX. (VGS = 2.5 V, ID = 4.5 A)
• Built-in gate protection diode
• 2.5 V Gate drive available
产品属性
- 型号：
UPA2201T1M
- 功能描述：
MOSFET N-CH 20V VSOF-SLIM
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
2016+ |
SOT23-8 |
6000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
VSOF8 |
6000 |
诚信服务，绝对原装原盘 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+23+ |
VSOP8 |
12580 |
16年现货库存供应商终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
NEC |
SOT23-8 |
10265 |
提供BOM表配单只做原装货值得信赖 |
询价 | |||
NEC |
23+ |
SMD |
4300 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
NEC |
SMD |
893993 |
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询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
NA/ |
4557 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
8-VSOF |
25000 |
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询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
8P-VSOF |
20000 |
原装正品 欢迎咨询 |
询价 |
