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UIC811	文件：219.34 Kbytes Page：9 Pages	MICROPROCESSORRESETCIRCUITS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UIC811	文件：236.98 Kbytes Page：8 Pages	MICROPROCESSORRESETCIRCUITS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
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UPA811T	文件：49.15 Kbytes Page：6 Pages	HIGH-FREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITHBUILT-IN2x2SC4228SMALLMINIMOLD TheµPA811Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •LowNoise NF=1.9dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA •HighGain \|S21e\|2=6.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA •ASmallMiniMold	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPA811T	文件：194.94 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR	CEL California Eastern Laboratories	CEL
UPA811T	文件：219.4 Kbytes Page：8 Pages	HIGH-FREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR TheµPA811Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •LowNoise NF=1.9dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA •HighGain \|S21e\|2=6.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA •ASmallMiniMold	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA811T	文件：480.88 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR	CEL California Eastern Laboratories	CEL
UPC811	文件：742.66 Kbytes Page：8 Pages	HighStability,LowOffsetVoltageJ-FETInputOperationalAmplifier FEATURES InputOffsetVoltage±1mV(TYP.)(±2.5mVMAX.) VIOTemperatureDrift±7μV/C(TYP.) InputBiasCurrent50pA(TYP.) SlewRate15V/μs(TYP.) UnityGainFrequency4MHz(TYP.) InputEquivalentNoiseVoltageDensity19nV/Hz(TYP.)(f=1kHz) Stableoperationagain	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC811	文件：391.72 Kbytes Page：10 Pages	J-FETINPUTLOW-OFFSETOPERATIONALAMPLIFIER DESCRIPTION TheμPC811operationalamplifieroffershighinput impedance,lowoffsetvoltage,highslewrate,and stableACoperatingcharacteristics.NEC'sunique high-speedPNPtransistor(fr-300MHz)intheoutput stagesolvestheoscillationproblemofcurrentsink- ingwithalargecapa	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
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更多U811BSA供应商更新时间2024-6-6 10:36:00

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