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TSM2N60	文件：211.16 Kbytes Page：3 Pages	N CHANNEL POWER ENHANCEMENT MODE MOSFET GeneralDescription TheTSM2N60isusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdes	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM2N60	文件：459.79 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel Power MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM2N60CH	文件：211.16 Kbytes Page：3 Pages	N CHANNEL POWER ENHANCEMENT MODE MOSFET GeneralDescription TheTSM2N60isusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdes	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM2N60CP	文件：211.16 Kbytes Page：3 Pages	N CHANNEL POWER ENHANCEMENT MODE MOSFET GeneralDescription TheTSM2N60isusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdes	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM2N60CPRO	文件：1.32278 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM2N60S	文件：328.03 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel Power MOSFET GeneralDescription TheTSM2N60Sisusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM2N60SCWRP	文件：328.03 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel Power MOSFET GeneralDescription TheTSM2N60Sisusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM2N60_07	文件：459.79 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel Power MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM2N60_1	文件：157.8 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM2N60_11	文件：348.32 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel Power MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

详细参数

型号：
TSM2N60
功能描述：
MOSFET 600V 2Amp N channel MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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