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TSM2N60CPRO	文件：1.32278 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM2N60CPRO	文件：348.32 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel Power MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM2N60CZ	文件：459.79 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM2N60E	文件：1.00831 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM2N60ECPROG	文件：1.00831 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM2N60S	文件：344.19 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM2N60S	文件：328.03 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET GeneralDescription TheTSM2N60Sisusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM2N60SCWRP	文件：328.03 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET GeneralDescription TheTSM2N60Sisusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM2N60SCWRPG	文件：344.19 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
WFD2N60	文件：518.6 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi

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