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TSM2N60CPRO	文件：1.32278 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC 文件：1.32278 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TSM2N60CPRO	文件：348.32 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：348.32 Kbytes 页数：8 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM2N60CZ	文件：459.79 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：459.79 Kbytes 页数：8 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM2N60E	文件：1.00831 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：1.00831 Mbytes 页数：7 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM2N60ECPROG	文件：1.00831 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：1.00831 Mbytes 页数：7 Pages	TSC 台湾半导体	TSC

更多TSM2N60CPRO供应商更新时间2025-10-4 10:20:00