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TSM2N60ECPROG	文件：1.00831 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：1.00831 Mbytes 页数：7 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM2N60S	文件：328.03 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel Power MOSFET General Description The TSM2N60S is used an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy efficient de 文件：328.03 Kbytes 页数：8 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM2N60S	文件：344.19 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：344.19 Kbytes 页数：7 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM2N60SCWRP	文件：328.03 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel Power MOSFET General Description The TSM2N60S is used an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy efficient de 文件：328.03 Kbytes 页数：8 Pages	TSC 台湾半导体	TSC

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