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S1NB60

GeneralPurposeRectifiers(600V1A)

Feature •Small-SMD or •Small-DIP

SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新电元工业株式会社

STD1NB60

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

STD1NB60

N-CHANNEL600V-7.4ohm-1A-IPAK/DPAKPowerMESHMOSFET

DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)pera

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

T1NB60

BridgeRectifier

SIPOWER

SiPower Inc.

T1NB60

BridgeRectifier

SIPOWER

SiPower Inc.

详细参数

  • 型号:

    TSM1NB60

  • 功能描述:

    MOSFET 600V 1A N Channel Mosfet

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多TSM1NB60供应商 更新时间2025-5-15 19:41:00