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TSM2312	文件：164.47 Kbytes Page：3 Pages	20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：164.47 Kbytes 页数：3 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM2312	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V P-Channel MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC
TSM2312_08	文件：125.68 Kbytes Page：6 Pages	20V P-Channel MOSFET 文件：125.68 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM2312_15	文件：637.09 Kbytes Page：6 Pages	20V N-Channel MOSFET 文件：637.09 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM2312CX	文件：164.47 Kbytes Page：3 Pages	20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：164.47 Kbytes 页数：3 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM2312CXRF	文件：125.68 Kbytes Page：6 Pages	20V P-Channel MOSFET 文件：125.68 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM2312CXRF	文件：637.09 Kbytes Page：6 Pages	20V N-Channel MOSFET 文件：637.09 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM2312CXRF	文件：1.05163 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：1.05163 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TSM2312CXRFG	文件：637.09 Kbytes Page：6 Pages	20V N-Channel MOSFET 文件：637.09 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM2312CX	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V, 4.9A, Single N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC

技术参数

Type：
N-Channel
Technology：
Trench
Configuration：
Single
Status：
NRND
Replacement：
TSM250N02CX
AEC-Q：
No
VDS (V)：
20
VGS ±(V)：
8
ID Max. (A)：
4.9
TJ Max. (°C)：
150
RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ)：
33
RDS(ON) @ 4.5V Typ. (mΩ)：
27
RDS(ON) @ 2.5V Max. (mΩ)：
40
RDS(ON) @ 2.5V Typ. (mΩ)：
33
RDS(ON) @ 1.8V Max. (mΩ)：
51
RDS(ON) @ 1.8V Typ. (mΩ)：
42
Qg (nC) @ 4.5V：
11.2
Qgd (nC)：
2.1
Qgs (nC)：
1.5
Ciss (pF)：
500
Coss (pF)：
300
Crss (pF)：
140
MSL：
3
VGS(th) Max. (V)：
1
VGS(th) Min. (V)：
0.45
VGS(th) Typ. (V)：
0.65

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更多TSM2312供应商更新时间2025-10-11 14:16:00

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