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IXTY1N80P	文件：167.56 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
KSMD1N80	文件：1.55309 Mbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU1N80	文件：1.55309 Mbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU1N80	文件：1.55309 Mbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MTD1N80E	文件：269.28 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET1.0AMPERES800VOLTSRDS(on)=12OHM ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.InadditionthisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignal	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP1N80E	文件：301.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=12Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP1N80E	文件：221.1 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET1.0AMPERES800VOLTSRDS(on)=12OHMS TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
PJP1N80	文件：227.44 Kbytes Page：6 Pages	800VN-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES •1A,800V,RDS(ON)=16Ω@VGS=10V,ID=0.5A •LowONResistance •FastSwitching •LowGateCharge •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •SpeciallyDesigenedforACAdapter,BatteryChargeandSMPS •IncompliancewithEURoHs2002/95/ECDirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJU1N80	文件：227.44 Kbytes Page：6 Pages	800VN-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES •1A,800V,RDS(ON)=16Ω@VGS=10V,ID=0.5A •LowONResistance •FastSwitching •LowGateCharge •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •SpeciallyDesigenedforACAdapter,BatteryChargeandSMPS •IncompliancewithEURoHs2002/95/ECDirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
SSF1N80D	文件：403.81 Kbytes Page：7 Pages	MainProductCharacteristics	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市仟禧电子有限公司	TSM1N80CWRP	TSC/台湾半导体	22+	SOT-223	20000	保证原装正品,假一陪十	询价
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