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SSF1N80D	文件：403.81 Kbytes Page：7 Pages	Main Product Characteristics 文件：403.81 Kbytes 页数：7 Pages	SILIKRON 新硅能微电子	SILIKRON
EC731N80DA4R	文件：243.38 Kbytes Page：5 Pages	丝印：SSF1N80D；Package：TO252；800V, 1A N-Channel MOSFET 文件：243.38 Kbytes 页数：5 Pages	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
SSF1N80D	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Silikron 新硅能微电子	Silikron
SW1N80A	文件：715.26 Kbytes Page：7 Pages	N-channel MOSFET 文件：715.26 Kbytes 页数：7 Pages	SEMIPOWER 芯派科技	SEMIPOWER
SWC1N80A	文件：715.26 Kbytes Page：7 Pages	N-channel MOSFET 文件：715.26 Kbytes 页数：7 Pages	SEMIPOWER 芯派科技	SEMIPOWER
TSM1N80	文件：303.86 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET General Description The TSM1N80 is used an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy efficient desig 文件：303.86 Kbytes 页数：9 Pages	TSC 台湾半导体	TSC

更多SSF1N80D供应商更新时间2025-11-30 10:00:00