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CEM6601	文件：1.035069 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100RgandUIStested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEM6601A	文件：420.2 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-4A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM6601-TP	文件：1.9001 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET ‘GENERALFEATURES Vos=-60Vb=-4A Roson	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
CEP6601	文件：434.89 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-19A,RDS(ON)=86mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=125mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CET6601	文件：391.17 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-4.3A,RDS(ON)=86mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=125mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CET6601	文件：601.18 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-4.3A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CET6601A	文件：504.34 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-4.4A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU6601	文件：358.8 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-16A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU6601	文件：990.14 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
TS6601HG
功能描述：
Tact Switch Series(6x6mm)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳中芯器材有限公司	TS66105ZJ022	SHOU HAN(首韩)	23+	弯插-4P,7.3x6.1mm	1000	原装现货/专做开关15年	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	TS6610CJ		24+	N/A	56000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
北京京北通宇电子元件有限公司	TS6612CJ250GF009	SHOU HAN	24+	con	12	现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格	询价

更多TS6601HG供应商更新时间2025-5-22 10:20:00

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