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CEM6601-TP	文件：1.9001 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET ‘GENERALFEATURES Vos=-60Vb=-4A Roson	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
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CET6601	文件：391.17 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-4.3A,RDS(ON)=86mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=125mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
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CHM6601JPT	文件：212.92 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE60VoltsCURRENT4.3Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitchi	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO

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