TRD136D资料使用说明书批发采购第3页-114ic电子网

首页 >TRD136D>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
BD136	文件：157.51 Kbytes Page：9 Pages	Complementarylowvoltagetransistor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD136	文件：42.46 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconPNPTransistor PlasticMediumPowerSiliconPNPTransistor Thisseriesofplastic,medium−powersiliconPNPtransistorsaredesignedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable* •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD136	文件：69.62 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. FEATURES •HighCurrent.(Max.:-1.5A) •LowVoltage(Max.:-45V) •DCCurrentGain:hFE=40Min.@IC=-0.15A •ComplementarytoBD135.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BD136	文件：133.44 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •Highcurrent •ComplementtotypeBD135/137/139 APPLICATIONS •Driverstagesinhigh-fidelityamplifiersandtelevisioncircuits	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD136	文件：188.34 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS POWERTRANSISTORSPNPSILICON	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BD136	文件：41.75 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications Features •ComplementtoBD135,BD137andBD139respectively Applications •MediumPowerLinearandSwitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD136	文件：44.51 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS Description TheseepitaxialplanartransistorsaremountedintheSOT-32plasticpackage.Theyaredesignedforaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasi-complementarycircuits.TheNPNtypesaretheBD135andBD139,andthecomplementaryPNPtypesaretheBD136andBD140. Fe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD136	文件：104.52 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconPNPTransistor 1.5AMPEREPOWERTRANSISTORSPNPSILICON45,60,80VOLTS10WATTS ...designedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. •DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=0.15Adc •BD136,138,140arecomplementarywithBD135,137,139	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
BD136	文件：44.4 Kbytes Page：8 Pages	PNPpowertransistors DESCRIPTION PNPpowertransistorinaTO-126;SOT32plasticpackage.NPNcomplements:BD135,BD137andBD139. FEATURES •Highcurrent(max.1.5A) •Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS •Generalpurposepowerapplications,e.g.driverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisi	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BD136G	文件：42.46 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconPNPTransistor PlasticMediumPowerSiliconPNPTransistor Thisseriesofplastic,medium−powersiliconPNPtransistorsaredesignedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable* •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD136G	文件：86.87 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium-PowerSiliconPNPTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD136-TU	文件：1.28503 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighCurrent ComplementToBD135,BD137AndBD139	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BFP136	文件：60.58 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems) NPNSiliconRFTransistor •ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems •fT=5.5GHz •Goldmetalizationforhighreliability	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BFP136	文件：79.18 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ●ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems ●fT=5.5GHz ●Goldmetalizationforhighreliability	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP136W	文件：79.18 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ●ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems ●fT=5.5GHz ●Goldmetalizationforhighreliability	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP136W	文件：60.58 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems) NPNSiliconRFTransistor •ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems •fT=5.5GHz •Goldmetalizationforhighreliability	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BFQ136	文件：73.48 Kbytes Page：9 Pages	NPN4GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNtransistorinafour-leaddual-emitterSOT122Aenvelopewithaceramiccap.Allleadsareisolatedfromthestud.Diffusedemitter-ballastingresistorsandtheapplicationofgoldsandwich metallizationensureanoptimumtemperatureprofileandexcellentreliabilitypropertie	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGY136	文件：106.46 Kbytes Page：10 Pages	VHFpoweramplifiermodules DESCRIPTION TheBGY135andBGY136aretwo-stagebroadbandRFamplifiermodulesinaSOT132Bpackage.EachmoduleconsistsoftwoNPNtransistordiestogetherwithlumped-elementmatchingcomponents. FEATURES •12.5Vnominalsupplyvoltage •18Woutputpower. APPLICATIONS •Mobilecommunica	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BL-HA136A	文件：260.61 Kbytes Page：1 Pages	SURFACEMOUNTCHIPLEDLAMPS	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BL-HA136A-TRB	文件：229.57 Kbytes Page：8 Pages	EmittedColor:Amber	BRIGHTNINGBO BRIGHT ELECTRIC CO.,LTD 宁波明光宁波明光电器有限公司	BRIGHT

<<<1 234 5 6 7 >>>

详细参数

型号：
TRD136D
功能描述：
两极晶体管 - BJT High Voltage NPN 700V VCES 400V VCEO
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	TRD136DT4	ST	23+	TO-252	33500	全新原装真实库存含13点增值税票!	询价
深圳市国宇半导体科技有限公司	TRD136DT4	ST/意法	23+	TO-252	10000	公司只做原装正品	询价
深圳市易讯博科技有限公司	TRD136DT4		22+	NA	3000	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	TRD136DT4	ST	22+	TO-252	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市诚利顺电子科技有限公司	TRD136DT4	ST/意法	22+	N	30000	十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	TRD136DT4	STMicroelectronics	2022+	DPAK	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
中科航电（深圳）电子集团有限公司	TRD136DT4	ST		TO-252	93480	集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规	询价
深圳市华芯源电子有限公司	TRD136DT4	ST/意法	22+	TO-252	97040	终端免费提供样品可开13%增值税发票	询价
深圳市华瑞顺电子科技有限公司	TRD136DT4	ST/意法	22+	N	12800	本公司只做进口原装!优势低价出售!	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	TRD136DT4	ST意法	N/A	22+	569888	原装正品现货,支持BOM配单!	询价

更多TRD136D供应商更新时间2024-5-16 15:30:00

详细参数

相关规格书

相关库存