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TRD136D | High voltage capability | ST 意法半导体 | ST | |
TRD136D | High voltage capability 文件:387.74 Kbytes 页数:12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 400V 3A DPAK | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
High Voltage NPN Transistor Features ● High Voltage ● High Speed Switching Structure ● Silicon Triple Diffused Type ● NPN Silicon Transistor 文件:466.78 Kbytes 页数:5 Pages | TSC 台湾半导体 | TSC | ||
High Voltage NPN Transistor Features ● High Voltage ● High Speed Switching Structure ● Silicon Triple Diffused Type ● NPN Silicon Transistor 文件:432.13 Kbytes 页数:6 Pages | TSC 台湾半导体 | TSC | ||
High Voltage NPN Transistor Features ● High Voltage ● High Speed Switching Structure ● Silicon Triple Diffused Type ● NPN Silicon Transistor 文件:432.13 Kbytes 页数:6 Pages | TSC 台湾半导体 | TSC |
详细参数
- 型号:
TRD136D
- 功能描述:
两极晶体管 - BJT High Voltage NPN 700V VCES 400V VCEO
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
PNP 集电极—基极电压
- VCBO:
集电极—发射极最大电压
- VCEO:
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO:
- 6 V
- 增益带宽产品fT:
直流集电极/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安装风格:
SMD/SMT
- 封装/箱体:
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
22+ |
NA |
3000 |
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询价 | |||
ST |
22+ |
TO-252 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
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ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
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STMicroelectronics |
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DPAK |
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ST意法 |
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22+ |
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原装正品现货 支持BOM配单! |
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ST |
25+ |
TO-252 |
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
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25+ |
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STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
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25+ |
开关元件 |
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