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TRD136D | High voltage capability | ST 意法半导体 | ST | |
TRD136D | High voltage capability 文件：387.74 Kbytes 页数：12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 400V 3A DPAK | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
High Voltage NPN Transistor Features ● High Voltage ● High Speed Switching Structure ● Silicon Triple Diffused Type ● NPN Silicon Transistor 文件：466.78 Kbytes 页数：5 Pages | TSC 台湾半导体 | TSC | ||
High Voltage NPN Transistor Features ● High Voltage ● High Speed Switching Structure ● Silicon Triple Diffused Type ● NPN Silicon Transistor 文件：432.13 Kbytes 页数：6 Pages | TSC 台湾半导体 | TSC | ||
High Voltage NPN Transistor Features ● High Voltage ● High Speed Switching Structure ● Silicon Triple Diffused Type ● NPN Silicon Transistor 文件：432.13 Kbytes 页数：6 Pages | TSC 台湾半导体 | TSC |
详细参数
- 型号：
TRD136D
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT High Voltage NPN 700V VCES 400V VCEO
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
22+ |
NA |
3000 |
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询价 | |||
ST |
22+ |
TO-252 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
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ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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STMicroelectronics |
2022+ |
DPAK |
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全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
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ST意法 |
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原装正品现货 支持BOM配单! |
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ST |
25+ |
TO-252 |
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
ST |
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DPAK |
16000 |
原装优势绝对有货 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
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国产 |
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TE |
25+ |
开关元件 |
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