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TPS1120D	文件：301.03 Kbytes Page：17 Pages	丝印：1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have 文件：301.03 Kbytes 页数：17 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1120D.A	文件：301.03 Kbytes Page：17 Pages	丝印：1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have 文件：301.03 Kbytes 页数：17 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1120D.B	文件：301.03 Kbytes Page：17 Pages	丝印：1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have 文件：301.03 Kbytes 页数：17 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1120DR	文件：301.03 Kbytes Page：17 Pages	丝印：1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have 文件：301.03 Kbytes 页数：17 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1120DR.A	文件：301.03 Kbytes Page：17 Pages	丝印：1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have 文件：301.03 Kbytes 页数：17 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1120DR.A	文件：301.03 Kbytes Page：17 Pages	丝印：1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have 文件：301.03 Kbytes 页数：17 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1120DR.B	文件：301.03 Kbytes Page：17 Pages	丝印：1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have 文件：301.03 Kbytes 页数：17 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1120DR.B	文件：301.03 Kbytes Page：17 Pages	丝印：1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have 文件：301.03 Kbytes 页数：17 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1120Y	文件：301.03 Kbytes Page：17 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have 文件：301.03 Kbytes 页数：17 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS12000QDGXRQ1	文件：1.79799 Mbytes Page：38 Pages	丝印：1200；Package：VSSOP；TPS1200-Q1 45V, Automotive Low IQ Smart High Side Driver With Short-Circuit Protection and Diagnostics 1 Features • AEC-Q100 automotive qualified for automotive applications – Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range • Functional Safety-Capable – Documentation available to aid functional safety system design • 3.5V to 40V input range (45V absolute maxi 文件：1.79799 Mbytes 页数：38 Pages	TI 德州仪器	TI

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晶体管资料

型号：
TPS100
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
封装形式：
极限工作电压：
180V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
3DG182D,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
180
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.625

技术参数

电气隔离（Vrms）：
4000
通道数：
2
测温范围（℃）：
-200~+850
每通道速率（SPS）：
0.75
精度（℃）：
0.02%±0.1
工作环境（℃）：
-40~+85
通信接口：
IIC
封装：
DIP16
产品尺寸（mm）：
24.98×16.90×8.10
样品购买：
购买

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市正纳电子有限公司	TPS	正纳电子热销	23+	NA	26094	10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业	询价
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更多TPS供应商更新时间2026-1-19 10:45:00

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