TPC8A05-H中文资料东芝数据手册PDF规格书
TPC8A05-H规格书详情
High Efficiency DC-DC Converter Applications
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Portable Equipment Applications
• Built-in schottky barrier diode
• Low forward voltage: VDSF = 0.6 V (max)
• High-speed switching
• Small gate charge: QSW = 3.7 nC (typ.)
• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 9.5 mΩ (typ.)
• High forward transfer admittance: |Yfs| = 26 S (typ.)
• Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 30 V)
• Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
产品属性
- 型号：
TPC8A05-H
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 30V FET 10A 1.9W 15nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
SOP-8 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA/东芝 |
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