TPC8A02-H中文资料东芝数据手册PDF规格书

厂商型号	TPC8A02-H
功能描述	竊큀SHIBA Field Effect Transistor with Built-in Schottky Barrier Diode High-Efficiency DC/DC Converter Applications
文件大小	484.96 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	TOSHIBA
中文名称	东芝
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更新时间	2025-12-13 14:19:00
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High-Efficiency DC/DC Converter Applications

Notebook PC Applications

Portable-Equipment Applications

• Built-in schottky barrier diode

Low forward voltage: VDSF = 0.6V(Max.)

• High-speed switching.

• Small gate charge.: QSW ＝ 11 nC(Typ.)

• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 4.3 mΩ (typ.)

• High forward transfer admittance: |Yfs| = 40 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS = 100 µA (max) (VDS = 30 V)

• Enhancement mode: Vth = 1.1 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

型号：
TPC8A02-H
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
ＴOSHIBA Field Effect Transistor with Built-in Schottky Barrier Diode High-Efficiency DC/DC Converter Applications

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