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TPC8A05-H	文件：228.35 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency DC-DC Converter Applications Notebook PC Applications HighEfficiencyDC-DCConverterApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Built-inschottkybarrierdiode •Lowforwardvoltage:VDSF=0.6V(max) •High-speedswitching •Smallgatecharge:QSW=3.7nC(typ.) •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=9.5	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8A05-H	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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TPCA8A05-H	文件：1.11173 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPCP8A05-H	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
UF8A05	文件：950.52 Kbytes Page：2 Pages	GlassPassivatedUltraFastRecoveryRectifier	YENYOYenyo Technology Co., Ltd. 元耀科技元耀科技股份有限公司	YENYO
UF8A05F	文件：851.59 Kbytes Page：2 Pages	GlassPassivatedUltraFastRecoveryRectifier	YENYOYenyo Technology Co., Ltd. 元耀科技元耀科技股份有限公司	YENYO
UF8A05F-G	文件：46.26 Kbytes Page：2 Pages	GlassPassivatedUltraFastRecoveryRectifier Features ◆Lowforwardvoltagedrop ◆Fastswitchingforhighefficiency ◆Highcurrentcapability ◆Highsurgecurrentcapability ◆Lowreverseleakagecurrent	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
UF8A05-G	文件：46.86 Kbytes Page：2 Pages	GlassPassivatedUltraFastRecoveryRectifier Features ◆Lowforwardvoltagedrop ◆Fastswitchingforhighefficiency ◆Highcurrentcapability ◆Highsurgecurrentcapability ◆Lowreverseleakagecurrent	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP

详细参数

型号：
TPC8A05-H
功能描述：
MOSFET MOSFET+SBD, 30V, 10A, SOP-8
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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