TMR2901数据手册MDT中文资料规格书
TMR2901规格书详情
描述 Description
TMR2901采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个高灵敏度TMR传感器元件。TMR2901性能优越,采用的封装形式:SOP8(6mm x 5mm x 1.5mm)和DFN8(3 mm ´ 3 mm ´ 0.75 mm)两种。
特性 Features
(1)隧道磁电阻 ( TMR) 技术;(2)高灵敏度 (25mV/V/Oe);(3)低的本底噪声 (2nT/rt(Hz) @1Hz);(4)低功耗;(5)优越的温度稳定性;(6)低的磁滞;(7)宽工作电压范围;(8)不需要置位/复位脉冲电路
应用 Application
(1)微弱磁场检测;(2)电流传感器;(3)位置传感器
技术参数
- 制造商编号
:TMR2901
- 生产厂家
:MDT
- 磁阻结构:
:全桥
- 供电电压:
:0~7 V
- 敏度(mV/V/Oe):
:25
- 电阻(kΩ):
:45
- 饱和场(Oe):
:±20
- 敏感方向:
:Y轴
- 磁滞(Oe):
:0.2
- 本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):
:~2
- 封装形式:
:SOP8 DFN8L(3×3×0.75)
- 交付周期:
:In stock
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
52000 |
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询价 | |||
JAMICON |
2015+ROHS |
DIP |
72800 |
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原厂 |
原厂封装 |
1688 |
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TRACO |
24+ |
DIP |
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TRACO |
24+ |
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TRACOPOWER |
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NA |
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TRACO POWER |
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