TMR2501数据手册MDT中文资料规格书
TMR2501规格书详情
描述 Description
TMR2501是基于第四代磁感应技术——隧道磁阻（TMR）的线性传感器，可感应垂直于芯片表面的磁场强度。TMR2501采用独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，当垂直于芯片表面的磁场发生变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出。在全温度范围（-55℃~+150℃）内，TMR2501的敏感度和失调电压可保持在一个稳定的水平。配合简单的磁路设计，TMR2501可广泛用于角度检测、电流传感、位移检测等多个场合。
特性 Features
（1）隧道磁电阻(TMR)技术
（2）高灵敏度
（3）低功耗
（4）优越的温度稳定性
（5）低磁滞
（6）宽工作电压范围
应用 Application
（1）电流传感器
（2）角度检测
（3）位移检测
技术参数
- 制造商编号
：TMR2501
- 生产厂家
：MDT
- 磁阻结构：
：全桥
- 供电电压：
：0～7 V
- 敏度（mV/V/Oe）：
：0.3
- 电阻（kΩ）：
：5
- 饱和场（Oe）：
：±1k
- 敏感方向：
：Z轴
- 磁滞（Oe）：
：1
- 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz）：
：～50
- 封装形式：
：TO94 SSIP4
- 交付周期：
：In stock
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
62000 |
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询价 | |||
JAMICON |
2015+ROHS |
DIP |
72800 |
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原厂 |
原厂封装 |
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