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TMR2103数据手册MDT中文资料规格书

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厂商型号

TMR2103

功能描述

大动态范围TMR线性传感器

制造商

MDT MDT technology

中文名称

多维

数据手册

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更新时间

2025-8-17 15:01:00

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TMR2103规格书详情

描述 Description

TMR2103采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2103性能优越,采用两种封装形式:SOP8(6mm × 5mm × 1.5mm)和DFN8(3mm × 3mm × 0.75mm)。

特性 Features

(1)隧道磁电阻(TMR)技术
(2)高灵敏度
(3)宽动态范围
(4)极低功耗
(5)优越的温度稳定性
(6)极低的磁滞
(7)宽工作电压范围

应用 Application

(1)磁力计
(2)电流传感器
(3)工业流量计
(4)位置传感器
(5)角度传感器

技术参数

  • 制造商编号

    :TMR2103

  • 生产厂家

    :MDT

  • 磁阻结构:

    :全桥

  • 供电电压:

    :0~7 V

  • 敏度(mV/V/Oe):

    :6

  • 电阻(kΩ):

    :50

  • 饱和场(Oe):

    :±75

  • 敏感方向:

    :X轴

  • 磁滞(Oe):

    :0.3

  • 本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):

    :~10

  • 封装形式:

    :SOP8 DFN8L(3×3×0.75)

  • 交付周期:

    :In stock

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