Large Dynamic Range TMR linear sensor

General Description The TMR2103 linear sensor utilizes a unique push-pull Wheatstone bridge composed of four unshielded TMR sensor elements. The unique bridge design provides a high sensitivity differential output that is linearly proportional to a magnetic field applied parallel to the surface o

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MULTIDIMENSION

多维科技

大动态范围TMR线性传感器

TMR2103采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2103性能优越，采用两种封装形式：SOP8（6mm × 5mm × 1.5mm）和DFN8（3mm × 3mm × 0.75mm）。 （1）隧道磁电阻(TMR)技术\n（2）高灵敏度\n（3）宽动态范围\n（4）极低功耗\n（5）优越的温度稳定性\n（6）极低的磁滞\n（7）宽工作电压范围;

MDT

多维

VAUX POWER-DISTRIBUTION SWITCHES

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POWER-DISTRIBUTION SWITCHES

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VAUX POWER-DISTRIBUTION SWITCHES

features Dual-Input, Single-Output MOSFET Switch With No Reverse Current Flow (No Parasitic Diodes) IN1 . . . 250-mW, 500-mA N-Channel; 18-mA Supply Current IN2 . . . 1.3-W, 100-mA P-Channel; 0.75-mA Supply Current (VAUX Mode) Advanced Switch Control Logic CMOS and TTL Compatible Enable I

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