TMR1283数据手册MDT中文资料规格书

描述 Description

TMR1283是一款集成了隧道磁阻（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极磁开关。

TMR1283采用高精度推挽式全桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。TMR1283通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源，并允许宽的工作电压范围（3V至40V）。TMR1283以高电压工作、低于0.6毫安的供电电流、高响应频率、宽的工作温度范围、优越的抗外磁干扰特性成为众多低功耗、高性能应用的理想选择。TMR1283采用体积小、使用方便可靠的SOT23-3封装形式，所对应的产品型号为TMR1283S。\r

特性 Features

• 隧道磁电阻（TMR）技术
• 低功耗（<0.6mA）
• 高频率响应（>=100kHz）
• 双极锁存型开关
• X轴磁场感应方向
• 工作电压达 40V并可承受 30V 反向电压
• 开漏输出
• 高灵敏度，低开关点
• 卓越的温度稳定性
• 优越的抗外磁场性能

应用 Application

• 流量计，包括水表、气表和热量表
• 固态开关
• 速度检测
• 位置检测
• 电机和风扇控制
• 电动车窗