TMR1223数据手册MDT中文资料规格书

描述 Description

TMR1223磁开关芯片是集成了隧道磁阻（TMR）传感器和CMOS 电路的双极锁存型磁开关芯片，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号，以实现位置的精确检测。该产品包括X轴和Y轴两轴、两通道、双极锁存开关信号输出，每通道独立供电和输出。该开关芯片工作电压范围为3 V ~ 40 V, 芯片单轴静态供电电流低至0.5mA，并且保持了100 kHz的磁信号响应频率。TMR1223磁开关芯片采用了标准的DFN8L(3mm×3mm×0.75mm)封装。

特性 Features

（1）隧道磁阻(TMR)技术
（2）低功耗（单轴静态电流1.5 mA）
（3）高频率响应（至100kHz）
（4）双极锁存型磁开关
（5）宽工作电压（3V ~ 40 V）
（6）Open Drain开漏输出
（7）高灵敏度
（8）卓越的温度稳定性
（9）优越的抗外磁场性能
（10）符合RoHS & REACH。

应用 Application

（1）接近开关
（2）速度检测
（3）线性及旋转位置检测
（4）线性及旋转方向检测。